Կերամիկական մաշվածության թիթեղներ ագրեսիվ քայքայումի համար

Սիլիցիումի կարբիդ (SiC)

Սիլիցիումի կարբիդը ձևավորվում է երկու եղանակով՝ ռեակցիոն կապով և սինթերով:Ձևավորման յուրաքանչյուր մեթոդ մեծապես ազդում է վերջնական միկրոկառուցվածքի վրա:

Reaction bonded SiC-ը ստացվում է SiC-ի և ածխածնի խառնուրդներից կազմված կոմպակտների ներթափանցմամբ հեղուկ սիլիցիումով:Սիլիցիումը փոխազդում է ածխածնի հետ՝ առաջացնելով ավելի շատ SiC, որը կապում է սկզբնական SiC մասնիկները:

Պղծված SiC-ն արտադրվում է մաքուր SiC փոշուց՝ ոչ օքսիդային սինթրման միջոցներով:Օգտագործվում են սովորական կերամիկական ձևավորման պրոցեսներ և նյութը սինթրեվում է իներտ մթնոլորտում մինչև 2000ºC կամ ավելի բարձր ջերմաստիճանի դեպքում:

Սիլիցիումի կարբիդի երկու ձևերն էլ (SiC) բարձր մաշվածության դիմացկուն են, լավ մեխանիկական հատկություններով, ներառյալ բարձր ջերմաստիճանի ուժը և ջերմային ցնցումների դիմադրությունը:Մեր ինժեներները միշտ հասանելի են ձեզ լավագույնս խորհուրդ տալու յուրաքանչյուր կերամիկայի ուժեղ և թույլ կողմերը ձեր հատուկ կարիքների համար:

Սիլիցիումի կարբիդի բնորոշ բնութագրերը ներառում են.

• Ցածր խտություն

• Բարձր ամրություն

• Լավ բարձր ջերմաստիճանի ուժ (ռեակցիայի հետ կապված)

• Օքսիդացման դիմադրություն (ռեակցիա կապակցված)

• Ջերմային ցնցումների գերազանց դիմադրություն

• Բարձր կարծրություն և մաշվածության դիմադրություն

• Գերազանց քիմիական դիմադրություն

• Ցածր ջերմային ընդլայնում և բարձր ջերմահաղորդականություն

Սիլիցիումի կարբիդի տիպիկ կիրառությունները ներառում են.

• Տուրբինի ֆիքսված և շարժվող բաղադրիչներ

• Կնիքներ, առանցքակալներ, պոմպի թիակներ

• Գնդիկավոր փականի մասեր

• Հագեք ափսեներ

• Վառարանների կահույք

• Ջերմափոխանակիչներ

• Կիսահաղորդչային վաֆլի մշակման սարքավորում

Լրացուցիչ տեղեկությունների համար մեր սիլիցիումի կարբիդի և ինչպես դա կարող է օգտագործվել ձեր արտադրանքի համար, կապվեք մեզ հետ այսօր